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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHG58110 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036) |
| 中文描述： | 抗輻射功率MOSFET的通孔（莫- 036） |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRHG58110 |
IRHG57110
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
GS
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
0.3
0.6
1.0
1.3
1.6
I
D
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHG53110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036) |
| IRHG54110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036) |
| IRHG57110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036) |
| IRHG9110 | Thru-Hole Radiation Hardened Power MOSFET(100V,通孔安裝抗輻射功率MOSFET) |
| IRHG93110 | Thru-Hole Radiation Hardened Power MOSFET(100V,通孔安裝抗輻射功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRHG597110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
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| IRHG63110 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY |
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