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參數(shù)資料
| 型號： | IRHN7230 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| 中文描述： | 晶體管N溝道（BVdss \u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.40ohm，身份證\u003d 9.0,9.0） |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大小： | 513K |
| 代理商： | IRHN7230 |
IRHN7230, IRHN8230 Devices
Pre-Radiation
Figure 26. – Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration
Figure 27. – Maximum Drain Current Vs. Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHN8230 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| IRHN7250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHN8250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHN9130 | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P溝道,-100 V, 0.3Ω,抗輻射HEXFET晶體管) |
| IRHN93130 | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P溝道,-100 V, 0.3Ω,抗輻射HEXFET晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHN7250 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN7250SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN7250SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN7450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN7450SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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