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參數(shù)資料
| 型號： | IRHN93250 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | IRHN93250 |
IRHN9250, IRHN93250 Devices
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-6.0V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
-12V
-9.0V
-7.0V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
10
100
5
6
7
8
VDS
20μs PULSE WIDTH
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
-
D
T = 25 C
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
-10V
-14A
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