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參數(shù)資料
| 型號： | IRHNA57260 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 200V, N-CHANNEL |
| 中文描述： | 為200V，N溝道 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | IRHNA57260 |
www.irf.com
7
IRHNA57260
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
.
Pre-Irradiation
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
25A
35A
55A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNA58260 | 200V, N-CHANNEL |
| IRHNA54Z60 | 30V, N-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(30V,表貼型抗輻射功率N溝道MOSFET) |
| IRHNA53Z60 | 30V, N-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(30V,表貼型抗輻射功率N溝道MOSFET) |
| IRHNA57Z60 | 30V, N-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(30V,表貼型抗輻射功率N溝道MOSFET) |
| IRHNA58Z60 | 30V, N-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(30V,表貼型抗輻射功率N溝道MOSFET) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHNA57260SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 53.5A 3-Pin SMD-2 制造商:International Rectifier 功能描述:200V 45.000A HEXFET RADHARD - Rail/Tube |
| IRHNA57260SED | 制造商:International Rectifier 功能描述:200V 43.000A HEXFET RADHARD - Bulk |
| IRHNA57260SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNA57264SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 250V 45A 3SMD-2 - Rail/Tube |
| IRHNA5760SE | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 55A I(D) | SMT |
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