參數(shù)資料
型號(hào)： IRKLF200-12HJ
廠商： International Rectifier
英文描述： 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,12V,快速可控硅/可控硅L結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
中文描述： 200，磁共振-甲柏功率模塊（200安培，12V的，快速可控硅/可控硅蜇結(jié)構(gòu)磁共振-甲柏功率模塊）
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 154K
代理商： IRKLF200-12HJ
IRK.F200.. Series
7
Bulletin I27099 rev. A 10/97
www.irf.com
Fig. 9 - Reverse Recovery Charge Characteristics
Fig. 10 - Reverse Recovery Current Characteristics
Fig. 11 - Frequency Characteristics
Fig. 12 - Frequency Characteristics
30
60
90
120
150
180
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
500A
300A
200A
100A
M
Rate Of Fall Of Forward C urrent - di/dt (A/
μs)
IRK.F200.. Series
T = 125°C
I = 1000A
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
280
300
320
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
300 A
200 A
100 A
500 A
M
μ
Rate Of Fall Of Forward C urrent - di/dt (A/
μs)
I = 1000 A
IRK.F200.. Series
T = 125°C
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
P
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F200.. Series
Sinusoidal pulse
T = 85
°C
Snubber c irc uit
R s
C s
V = 80% V
tp
1E4
DRM
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circ uit
R s
C s
μF
V = 80% V
IRK.F200.. Series
Sinusoidal pulse
T = 60°C
tp
DRM
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
P
IRK.F200.. Series
Tra pezoidal pulse
T = 85
°C di/dt 50A/μs
Snubber c ircuit
R s
Cs
V = 80% V
tp
DRM
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circ uit
R s
Cs
μF
V = 80% V
IRK.F200.. Series
Trapezoidal pulse
T = 85°C di/dt 100A/μs
tp
DRM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRKLF200-12HK 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,12V,快速可控硅/可控硅L結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
IRKTF200-12HJ 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,12V,快速可控硅/可控硅T結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
IRKTF200-12HK 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,12V,快速可控硅/可控硅T結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
IRKLF200-08HJ 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,8V,快速可控硅/可控硅L結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
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參數(shù)描述
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IRKLF200-12HK 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKLF200-12HKN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.2KV V(RRM)|200A I(T)
IRKLF200-12HP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.2KV V(RRM)|200A I(T)
IRKLF71-06CJ 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|600V V(RRM)|71A I(T)
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