參數(shù)資料
型號(hào)： IRKLF200-12HJ
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,12V,快速可控硅/可控硅L結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
中文描述： 200，磁共振-甲柏功率模塊（200安培，12V的，快速可控硅/可控硅蜇結(jié)構(gòu)磁共振-甲柏功率模塊）
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
文件大小： 154K
代理商： IRKLF200-12HJ
IRK.F200.. Series
8
Bulletin I27099 rev. A 10/97
www.irf.com
Fig. 13 - Frequency Characteristics
Fig. 14 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics
Fig. 15 - Gate Characteristics
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
P
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber c irc uit
R s
C s
μF
V = 80% V
IRK.F200.. Series
Trapezoida l pulse
T = 60°C di/dt 50A/μs
1E4
tp
DRM
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F200.. Series
Trapezoida l pulse
T = 60
°C di/dt 100A/μs
Snubber c irc uit
R s
C s
V = 80% V
tp
DRM
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
10 joules per pulse
5
2.5
1
0.5
0.25
0.1
0.05
P
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F200.. Series
Sinusoidal pulse
tp
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
10 joules per pulse
5
2.5
1
0.5
0.25
0.1
0.05
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F200.. Series
Tra pezoidal pulse
di/dt 50A/
μs
tp
1E1
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
VGD
IGD
(b)
(a)
T
°
T
T
(2)
(3)
Instantaneous G ate Current (A)
I
a) Recommended load line for
rated di/dt : 10V, 10ohms
b) Recommended load line for
<=30% rated di/dt : 10V, 20ohms
Rectangular gate pulse
IRK.F200.. Series Frequenc y Limited by PG(AV)
(1) PGM = 8W, tp = 25ms
(2) PGM = 20W, tp = 1ms
(3) PGM = 40W, tp = 5ms
(4) PGM = 80W, tp = 2.5ms
(1)
(4)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRKLF200-12HK 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,12V,快速可控硅/可控硅L結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
IRKTF200-12HJ 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,12V,快速可控硅/可控硅T結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
IRKTF200-12HK 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,12V,快速可控硅/可控硅T結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
IRKLF200-08HJ 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,8V,快速可控硅/可控硅L結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
IRKLF200-08HK 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,8V,快速可控硅/可控硅L結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRKLF200-12HJN 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.2KV V(RRM)|200A I(T)
IRKLF200-12HK 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKLF200-12HKN 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.2KV V(RRM)|200A I(T)
IRKLF200-12HP 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.2KV V(RRM)|200A I(T)
IRKLF71-06CJ 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|600V V(RRM)|71A I(T)
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