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IRLI2505	功能描述:MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP RoHS:否類別:分離式半導體產品 >> FET - 單系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRLI2910	功能描述:MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP RoHS:否類別:分離式半導體產品 >> FET - 單系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLI2910HR	制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack
IRLI2910PBF	功能描述:MOSFET MOSFT 100V 27A 26mOhm 93.3nC LogLvl RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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IRLI2505

功能描述:MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP RoHS:否類別:分離式半導體產品 >> FET - 單系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件

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型號：	IRLI2203NPBF
廠商：	International Rectifier
英文描述：	HEXFET Power MOSFET
中文描述：	HEXFET功率MOSFET
文件頁數：	7/8頁
文件大小：	1630K
代理商：	IRLI2203NPBF

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