參數(shù)資料
型號(hào)： IRLI540N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： IRLI540N
IRLI540N
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
5.0 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
0
200
400
600
800
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
I
TOP 7.3A
13A
BOTTOM 18A
D
RG
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
15V
10V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRLI610A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
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