參數(shù)資料
型號(hào)： IRLIB4343
廠商： International Rectifier
英文描述： DIGITAL AUDIO MOSFET
中文描述： 數(shù)字音頻MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 239K
代理商： IRLIB4343
2
www.irf.com
S
D
G
S
D
G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
55
–––
–––
–––
1.0
–––
–––
–––
–––
–––
8.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
15
42
57
–––
-4.4
–––
–––
–––
–––
–––
28
3.5
9.5
15
5.7
19
23
5.3
740
150
59
250
4.5
Max. Units
–––
–––
50
65
–––
–––
2.0
25
100
-100
–––
42
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Effective Output Capacitance
Internal Drain Inductance
nA
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
godr
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
L
D
S
V
GS
= 10V
I
D
= 19A
See Fig. 6 and 19
V
DD
= 28V, V
GS
= 10V
I
D
= 19A
R
G
= 2.5
ns
pF
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
nH
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
Avalanche Characteristics
Parameter
Units
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
mJ
A
mJ
Diode Characteristics
Parameter
Min.
–––
Typ.
–––
Max. Units
19
I
S
@ T
C
= 25°C Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
A
–––
–––
110
–––
–––
–––
–––
52
100
1.2
78
150
V
ns
nC
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 25V, I
D
= 19A
V
DS
= 44V
V
GS
= 4.5V, I
D
= 3.8A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
S
= 19A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 19A
di/dt = 100A/μs
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz, See Fig.5
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to -44V
Conditions
p-n junction diode.
Max.
130
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 4.7A
showing the
integral reverse
See Fig. 14, 15, 17a, 17b
Typ.
–––
MOSFET symbol
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLIB9343PBF DIGITAL AUDIO MOSFET
IRLIZ24NPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLIZ44NPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLL014PBF HEXFET Power MOSFET
IRLL024NPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRLIB9343 功能描述:MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLIB9343PBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 105mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLIZ14A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262AA
IRLIZ14G 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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