參數(shù)資料
型號： IRLIB4343
廠商： International Rectifier
英文描述： DIGITAL AUDIO MOSFET
中文描述： 數(shù)字音頻MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 239K
代理商： IRLIB4343
4
www.irf.com
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 9.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
0.5
1.0
1.5
2.0
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
5
10
15
20
ID
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
1.0096 0.001090
0.9019 0.038534
1.9296 2.473000
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci=
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
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PDF描述
IRLIB9343PBF DIGITAL AUDIO MOSFET
IRLIZ24NPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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IRLL024NPBF HEXFET Power MOSFET
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