參數(shù)資料
型號： IRLL024NPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 152K
代理商： IRLL024NPBF
IRLL024NPbF
www.irf.com
7
SOT-223 (TO-261AA) Package Outline
Dimensions are shown in milimeters (inches)
SOT-223 (TO-261AA) Part Marking Information
P = DESIGNATES LEAD-FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
A = ASSEMBLY SITE
CODE
TOP
BOTTOM
LOGO
314P
AXXXX
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
HEXFET PRODUCT MARKING
FL014
THIS IS AN IRFL014
LOT CODE
DATE CODE
(YYWW)
YY = YEAR
WW = WEEK
相關PDF資料
PDF描述
IRLL024ZPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLL024Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRLL110PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLL110 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管)
IRLL2703PBF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRLL024NQ 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | SOT-223
IRLL024NTR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 55V, 4.4A, 65 mOhm, 10.4 nC Qg, Logic Level, SOT-223
IRLL024NTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLL024Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLL024ZHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*