參數(shù)資料
型號： IRLR2905ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 277K
代理商： IRLR2905ZPBF
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.765 0.000269
0.6141 0.001614
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci= i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
ID
LIMITED BY PACKAGE
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
RD
ID = 30A
VGS = 5.0V
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PDF描述
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