參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR2908PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 329K
代理商： IRLR2908PBF
2
www.irf.com
S
D
G
S
D
G
Notes
HEXFET
is a registered trademark of International Rectifier.
through
are on page 11
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
80
–––
–––
–––
1.0
35
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.085
–––
22.5
28
25
30
–––
2.5
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
–––
-200
22
33
6.0
9.1
11
17
12
–––
95
–––
36
–––
55
–––
4.5
–––
V
V/°C
m
V
GS(th)
gfs
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
V
S
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
L
D
nC
ns
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1890
260
35
1920
170
310
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
39
(Body Diode)
Pulsed Source Current
A
I
SM
–––
–––
150
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
75
210
1.3
110
310
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
V
DS
= 64V
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 40V
I
D
= 23A
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 64V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 64V
V
GS
= 4.5V
MOSFET symbol
Conditions
T
J
= 25°C, I
F
= 23A, V
DD
= 25V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 23A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 23A
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
R
G
= 8.3
I
D
= 23A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 20A
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 23A
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PDF描述
IRLU2908PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLR3103 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRLR3105PBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRLU3105PbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRLR3105 AUTOMOTIVE MOSFET
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參數(shù)描述
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IRLR3101 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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IRLR3103PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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