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參數(shù)資料
| 型號： | IRSLIDER2EK |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 188/250頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL IR SLIDER SI1142 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | QuickSense™ |
| 傳感器類型： | 近程，紅外線 |
| 傳感范圍： | 1 個滑塊 |
| 接口： | USB |
| 電源電壓： | 5V，USB |
| 嵌入式： | 是，MCU，8 位 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | C8051F800，Si1142 |
| 其它名稱： | 336-1972 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁當(dāng)前第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁
C8051F80x-83x
42
Rev. 1.0
Table 7.6. Flash Electrical Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Flash Size (Note 1)
C8051F80x and C8051F810/1
C8051F812/3/4/5/6/7/8/9 and C8051F82x
C8051F830/1/2/3/4/5
16384
8192
4096
bytes
Endurance (Erase/Write)
10000
—
cycles
Erase Cycle Time
25 MHz Clock
15
20
26
ms
Write Cycle Time
25 MHz Clock
15
20
26
s
Clock Speed during Flash
Write/Erase Operations
1—
—
MHz
Note: Includes Security Lock Byte.
Table 7.7. Internal High-Frequency Oscillator Electrical Characteristics
VDD = 1.8 to 3.6 V; TA = –40 to +85 °C unless otherwise specified. Use factory-calibrated settings.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Oscillator Frequency
IFCN = 11b
24
24.5
25
MHz
Oscillator Supply Current
25 °C, VDD = 3.0 V,
OSCICN.7 = 1,
OCSICN.5 = 0
—
350
650
A
Table 7.8. Capacitive Sense Electrical Characteristics
VDD = 1.8 to 3.6 V; TA = –40 to +85 °C unless otherwise specified.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Conversion Time
Single Conversion
26
38
50
s
Capacitance per Code
—
1
—
fF
External Capacitive Load
—
45
pF
Quantization Noise1
RMS
Peak-to-Peak
—
3
20
—
fF
Supply Current
CS module bias current, 25 °C
CS module alone, maximum code
output, 25 °C
Wake-on-CS Threshold2, 25 °C
—
40
75
150
60
105
165
A
Notes:
1. RMS Noise is equivalent to one standard deviation. Peak-to-peak noise encompasses ±3.3 standard
deviations.
2. Includes only current from regulator, CS module, and MCU in suspend mode.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MLP1N06CL | MOSFET N-CH 1A 62V TO-220AB |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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