參數(shù)資料
型號： IS41LV4100-60J
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述： 1M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO20
封裝： 0.300 INCH, SOJ-20
文件頁數(shù)： 14/19頁
文件大?。?/td> 143K
代理商： IS41LV4100-60J
IS41C4100
IS41LV4100
ISSI
14
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00A
09/10/01
EDO-PAGE-MODE EARLY-WRITE CYCLE
t
RASP
t
RP
ADDRESS
CAS
RAS
Row
Row
t
CAS,
t
CLCH
t
CRP
t
RCD
t
CSH
t
CP
t
CAS,
t
CLCH
t
CAH
t
CAS,
t
CLCH
t
RAL
t
RSH
t
CP
t
CP
t
PC
t
ASR
t
RAH
t
RAD
t
AR
t
ACH
Column
Column
t
ACH
t
ACH
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CAH
t
CAH
Column
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ASC
t
ASC
OE
I/O
WE
Valid Data
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ASC
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CWL
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WP
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DS
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DH
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DHR
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WCR
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WCS
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CWL
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Valid Data
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DS
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DH
Valid Data
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DS
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DH
Don't Care
相關PDF資料
PDF描述
IS41LV4100-60JI 1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C44002 4M x 4 DRAM With EDO Page Mode(5V,4M x 4 帶擴展數(shù)據(jù)輸出頁模式動態(tài)RAM(刷新 2K）)
IS41C44004 4M x 4 DRAM With EDO Page Mode(5V,4M x 4 帶擴展數(shù)據(jù)輸出頁模式動態(tài)RAM(刷新 4K）)
IS41LV44002 4M x 4 DRAM With EDO Page Mode(3.3V,4M x 4 帶擴展數(shù)據(jù)輸出頁模式動態(tài)RAM(刷新 2K）)
IS41LV44004 4M x 4 DRAM With EDO Page Mode(3.3V,4M x 4 帶擴展數(shù)據(jù)輸出頁模式動態(tài)RAM(刷新 4K）)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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