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參數資料
| 型號： | IS42S32200B-7TLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 |
| 文件頁數： | 20/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 537K |
| 代理商： | IS42S32200B-7TLI |
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IS42S32200B
ISSI
20
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00C
09/29/03
DON'T CARE
CLK
DQM
COMMAND
ADDRESS
DQ
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T1
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NOP
NOP
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n
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b
t
DS
BANK,
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CAS
Lantency 3
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NOP
NOP
NOP
NOP
WRITE
BANK,
COL n
BANK,
COL b
D
OUT
n
D
IN
b
t
DS
t
HZ
CAS
Lantency 3
RW1 - READ to WRITE
RW2 - READ to WRITE With Extra Clock Cycle
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32200C1 | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-55T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-55TL | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6BL | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS42S32200B-7T-TR | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II T/R |
| IS42S32200C1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-55T | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-55TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-55TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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