參數(shù)資料
型號: IS42S81600A-7TL
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述: 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù): 60/65頁
文件大?。?/td> 556K
代理商: IS42S81600A-7TL
64
XMEGA C3 [DATASHEET]
8361D–AVR–07/2013
34.2 64Z3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S81600A-7TLI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IDT71V433 32K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs
IDT71V65602 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V65602S-100BG 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V65602S-100BGI 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S81600A-7TLI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600AL-7TL 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS42S81600B-6T 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-6TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-7T 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube