參數(shù)資料
型號(hào)： IS42VS16400C1-12TI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 9 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 11/56頁(yè)
文件大小： 509K
代理商： IS42VS16400C1-12TI
IS42VS16400C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
10/06/05
11
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
Parameters
Rating
Unit
V
DD
MAX
Maximum Supply Voltage
–0.5 to +2.6
V
V
DD
Q
MAX
Maximum Supply Voltage for Output Buffer
–0.5 to +2.6
V
V
IN
Input Voltage
–0.5 to +2.6
V
P
D
MAX
Allowable Power Dissipation
1
W
I
CS
Output Shorted Current
50
mA
T
OPR
Operating Temperature
Com
Ind.
0 to +70
-40 to +85
°C
°C
T
STG
Storage Temperature
–55 to +150
°C
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(2)
Commercial
(
T
A
= 0°C to +70°C), Industrial
(
T
A
= -40°C to +85°C)
Symbol
V
DD
, V
DD
Q
V
IH
V
IL
Parameter
Supply Voltage
Input High Voltage
(3)
Input Low Voltage
(4)
Min.
1.7
Typ.
1.8
—
—
Max.
1.9
Unit
V
V
V
0.8 x V
DDQ
-0.3
V
DDQ
+ 0.3
+0.3
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
(1,2)
(V
DD
= 1.8V, T
A
= +25°C, f = 1 MHz)
Symbol
C
IN
1
C
IN
2
CI/O
Notes:
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the device. This
is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the
operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended
periods may affect reliability.
2. All voltages are referenced to Vss.
3. V
IH
(max) = 2.2V with a pulse width
≤
3 ns.
4. V
IL
(min) = -1.0V with a pulse width
≤
3 ns.
Parameter
Input Capacitance: CLK
Input Capacitance: (A0-A11, CKE,
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, LDQM, UDQM) 2.5
Data Input/Output Capacitance: DQ0-DQ15
Min.
2.5
Max.
4.0
5.0
6.5
Unit
pF
pF
pF
4.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42VS16400C1-12TL 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16400C1-12TLI 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS43R16160A-5T 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM
IS43R16160A-5TL 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM
IS43R16160A-6T 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IS42VS16400C1-12TLI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16400E-10TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M (4Mx16) 100MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16400E-10TLI 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS42VS16400E-10TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M (4Mx16) 100MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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