參數資料
型號： IS42VS16400C1-12TL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 9 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數： 29/56頁
文件大?。?/td> 509K
代理商： IS42VS16400C1-12TL
IS42VS16400C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
10/06/05
29
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
WRITE
NOP
NOP
NOP
D
IN
n
D
IN
n+1
BANK,
COL n
DON'T CARE
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
WRITE
NOP
WRITE
D
IN
n
D
IN
n+1
D
IN
b
BANK,
COL n
BANK,
COL b
DON'T CARE
WRITE Burst
WRITE to WRITE
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
WRITE
WRITE
WRITE
WRITE
D
IN
n
D
IN
b
D
IN
m
D
IN
x
BANK,
COL n
BANK,
COL b
BANK,
COL m
BANK,
COL x
Random WRITE Cycles
相關PDF資料
PDF描述
IS42VS16400C1-12TLI 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS43R16160A-5T 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM
IS43R16160A-5TL 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM
IS43R16160A-6T 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM
IS43R16160A 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM
相關代理商/技術參數
參數描述
IS42VS16400C1-12TLI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16400E-10TL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M (4Mx16) 100MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16400E-10TLI 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS42VS16400E-10TL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M (4Mx16) 100MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16400E-75BLI 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
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