- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377553 > IS45S81600B-7TLA (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS45S81600B-7TLA |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 7/59頁 |
| 文件大小： | 593K |
| 代理商： | IS45S81600B-7TLA |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁當(dāng)前第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
04/14/06
7
ISSI
IS45S81600B, IS45S16800B
CKE
n-1
H
H
H
H
H
H
DQM
U
L
H
L
×
H
×
Function
Data write / output enable
Data mask / output disable
Upper byte write enable / output enable
Lower byte write enable / output enable
Upper byte write inhibit / output disable
Lower byte write inhibit / output disable
Note: H=V
IH
, L=V
IL
x= V
IH
or V
IL
, V = Valid Data.
n
×
×
×
×
×
×
L
L
H
×
L
×
H
CKE
n – 1
H
H
H
H
H
H
H
H
A11
Function
Device deselect (DESL)
No operation (NOP)
Burst stop (BST)
Read
Read with auto precharge
Write
Write with auto precharge
Bank activate (ACT)
Precharge select bank (PRE) H
Precharge all banks (PALL)
CBR Auto-Refresh (REF)
Self-Refresh (SELF)
Mode register set (MRS)
n
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
H
L
×
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
RAS
×
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
CAS
×
H
H
L
L
L
L
H
H
H
L
L
L
WE
×
H
L
H
H
L
L
H
L
L
H
H
L
BA1
×
×
×
V
V
V
V
V
V
×
×
×
L
BA0
×
×
×
V
V
V
V
V
V
×
×
×
L
A10
×
×
×
L
H
L
H
V
L
H
×
×
L
A9 - A0
×
×
×
V
V
V
V
V
×
×
×
×
V
H
H
H
H
COMMAND TRUTH TABLE
DQM TRUTH TABLE
Note: H=V
IH
, L=V
IL
x= V
IH
or V
IL
, V = Valid Data.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS45S81600B-7TLA1 | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32200C1 | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S32200C1-7BLA1 | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S32200C1-7TA1 | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S32200C1-7TLA | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS45S81600B-7TLA1 | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS45S81600E | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S81600E-6TLA1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S81600E-7CTNA1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S81600E-7CTNA2 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。