參數(shù)資料
型號(hào)： IS61LF102418A-6.5B2
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
中文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 14/35頁(yè)
文件大小： 281K
代理商： IS61LF102418A-6.5B2
14
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. E
04/21/06
ISSI
IS61LF25672A IS61LF51236A IS61LF102418A
IS61VF25672A IS61VF51236A IS61VF102418A
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
6.5
MAX
x18
7.5
MAX
Symbol
Parameter
Test Conditions
Temp. range
x36
x72
x18
x36
Uni
t
I
CC
AC Operating
Supply Current
Device Selected,
OE
= V
IH
, ZZ
≤
V
IL
,
All Inputs
≤
0.2V or
≥
V
DD
– 0.2V,
Cycle Time
≥
t
KC
min.
Com.
Ind.
250
275
250
275
300
350
240
250
240
250
mA
I
SB
Standby Current
TTL Input
Device Deselected,
V
DD
= Max.,
All Inputs
≤
V
IL
or
≥
V
IH
,
ZZ
≤
V
IL
, f = Max.
Com.
Ind.
140
150
140
150
140
150
140
150
140
150
mA
I
SBI
Standby Current
CMOS Input
Device Deselected,
V
DD
= Max.,
V
IN
≤
V
SS
+ 0.2V or
≥
V
DD
– 0.2V
f = 0
Com.
Ind.
110
125
110
125
110
125
110
125
110
125
mA
I
SB
2
Sleep Mode
ZZ>V
IH
Com.
Ind.
60
75
60
75
60
75
60
75
60
75
mA
Note:
1. MODE pin has an internal pullup and should be tied to V
DD
or V
SS
. It exhibits ±100 μA maximum leakage current when tied to
≤
V
SS
+ 0.2V or
≥
V
DD
– 0.2V.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Over Operating Range)
3.3V
2.5V
Symbol
V
OH
Parameter
Output HIGH Voltage
Test Conditions
I
OH
= –4.0 mA (3.3V)
I
OH
= –1.0 mA
I
OL
= 8.0 mA (3.3V)
I
OL
= 1.0 mA (2.5V)
Min.
2.4
Max.
—
Min.
2.0
Max.
—
Unit
V
(2.5V)
V
OL
Output LOW Voltage
—
0.4
—
0.4
V
V
IH
V
IL
I
LI
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
Input Leakage Current
2.0
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
0.8
5
1.7
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
0.7
5
V
V
μA
V
SS
≤
V
IN
≤
V
DD
(1)
V
SS
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
,
OE
= V
IH
I
LO
Output Leakage Current
–5
5
–5
5
μA
OPERATING RANGE (IS61LFxxxxx)
Range
Commercial
Industrial
Ambient Temperature
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
V
DD
V
DDQ
3.3V ± 5%
3.3V ± 5%
3.3V/2.5V ± 5%
3.3V/2.5V ± 5%
OPERATING RANGE (IS61VFxxxxx)
Range
Commercial
Industrial
Ambient Temperature
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
V
DD
V
DDQ
2.5V ± 5%
2.5V ± 5%
2.5V ± 5%
2.5V ± 5%
Note:
1. V
IL
(min.) = –2.0V AC (pulse width - 2.0 ns). Not 100% tested.
V
IH
(max.) = V
DD
+ 2.0V AC (pulse width - 2.0 ns). Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LF102418A-6.5B2I 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-6.5B3 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-6.5B3I 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-6.5TQ 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-6.5TQI 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
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參數(shù)描述
IS61LF102418A-7.5B2 制造商:ISSI 制造商全稱(chēng):Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-7.5B2I 制造商:ISSI 制造商全稱(chēng):Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-7.5B3 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 1Mbx18 7.5ns Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LF102418A-7.5B3I 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LF102418A-7.5B3I-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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