參數(shù)資料
型號(hào)： IS61LF102418A-6.5B2
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
中文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 17/35頁(yè)
文件大?。?/td> 281K
代理商： IS61LF102418A-6.5B2
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. E
04/21/06
17
ISSI
IS61LF25672A IS61LF51236A IS61LF102418A
IS61VF25672A IS61VF51236A IS61VF102418A
READ/WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
6.5
7.5
Min. Max.
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
fmax
Clock Frequency
—
133
—
117
MHz
t
KC
Cycle Time
7.5
—
8.5
—
ns
t
KH
Clock High Time
2.2
—
2.5
—
ns
t
KL
Clock Low Time
2.2
—
2.5
—
ns
t
KQ
Clock Access Time
—
6.5
—
7.5
ns
t
KQX
(2)
Clock High to Output Invalid
2.5
—
2.5
—
ns
t
KQLZ
(2,3)
Clock High to Output Low-Z
2.5
—
2.5
—
ns
t
KQHZ
(2,3)
Clock High to Output High-Z
—
3.8
—
4.0
ns
t
OEQ
Output Enable to Output Valid
—
3.2
—
3.4
ns
t
OELZ
(2,3)
Output Enable to Output Low-Z
0
—
0
—
ns
t
OEHZ
(2,3)
Output Disable to Output High-Z
—
3.5
—
3.5
ns
t
AS
Address Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
WS
Read/Write Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
CES
Chip Enable Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
AVS
Address Advance Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
DS
Data Setup Time
1.5
—
1.5
—
ns
t
AH
Address Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
WH
Write Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
CEH
Chip Enable Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
AVH
Address Advance Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
DH
Data Hold Time
0.5
—
0.5
—
ns
t
PDS
ZZ High to Power Down
—
2
—
2
cyc
t
PUS
ZZ Low to Power Down
—
2
—
2
cyc
Notes:
1. Configuration signal MODE is static and must not change during normal operation.
2. Guaranteed but not 100% tested. This parameter is periodically sampled.
3. Tested with load in Figure 2.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LF102418A-6.5B2I 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-6.5B3 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-6.5B3I 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-6.5TQ 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-6.5TQI 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
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參數(shù)描述
IS61LF102418A-7.5B2 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-7.5B2I 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-7.5B3 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 1Mbx18 7.5ns Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LF102418A-7.5B3I 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LF102418A-7.5B3I-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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