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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS61LF51218A-7.5B2I |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 4/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 215K |
| 代理商： | IS61LF51218A-7.5B2I |
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4
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
05/04/05
ISSI
IS61LF25636A IS61LF51218A IS61VF25636A IS61VF51218A
119 BGA PACKAGE PIN CONFIGURATION-
256K
X
36
(TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
1
2
A
3
A
A
A
4
5
A
A
A
6
A
A
A
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQc
DQc
V
DDQ
DQc
DQc
V
DDQ
DQd
DQd
V
DDQ
DQd
DQd
NC
NC
V
DDQ
ADSP
ADSC
V
DD
NC
CE
OE
ADV
GW
V
DD
CLK
NC
BWE
A
1
*
A
0
*
V
DD
A
TCK
V
DDQ
CE2
A
DQPc
DQc
DQc
DQc
DQc
V
DD
DQd
DQd
DQd
DQd
DQPd
A
NC
TMS
NC
NC
DQb
DQb
V
DDQ
DQb
DQb
V
DDQ
DQa
DQa
V
DDQ
DQa
DQa
NC
ZZ
V
DDQ
Vss
Vss
Vss
BWc
Vss
NC
Vss
BWd
Vss
Vss
Vss
MODE
A
TDI
Vss
Vss
Vss
BWb
Vss
NC
Vss
BWa
Vss
Vss
Vss
NC
A
TDO
DQPb
DQb
DQb
DQb
DQb
V
DD
DQa
DQa
DQa
DQa
DQPa
A
NC
NC
Symbol
A
A0, A1
ADV
Pin Name
Address Inputs
Synchronous Burst Address Inputs
Synchronous Burst Address
Advance
Address Status Processor
Address Status Controller
Global Write Enable
Synchronous Clock
Synchronous Chip Select
Synchronous Byte Write Controls
Byte Write Enable
ADSP
ADSC
GW
CLK
CE
, CE2
BW
x (x=a-d)
BWE
Symbol
OE
ZZ
MODE
TCK, TDO
TMS, TDI
NC
DQa-DQd
DQPa-Pd
V
DD
V
DDQ
Pin Name
Output Enable
Power Sleep Mode
Burst Sequence Selection
JTAG Pins
No Connect
Data Inputs/Outputs
Output Power Supply
Power Supply
Output Power Supply
Vss
Ground
Note:
* A
0
and A
1
are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LF51218A-7.5B3 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51218A-7.5B3I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51218A-7.5TQ | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51218A-7.5TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51218A-7.5TQLI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LF51218B-7.5TQLI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 100LQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（512K x 18） 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商器件封裝:100-LQFP（14x20） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 |
| IS61LF51236A | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-6.5B2 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-6.5B2I | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LF51236A-6.5B2I-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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