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參數(shù)資料
| 型號： | IS61LPD102418A-200B3I |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 14/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 219K |
| 代理商： | IS61LPD102418A-200B3I |
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14
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. B
02/03/06
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A ,IS61LPD102418A
ISSI
READ/WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(Over Operating Range)
-250
Min.
-200
Min.
Symbol
Parameter
Max.
Max.
Unit
f
MAX
Clock Frequency
—
250
—
200
MHz
t
KC
Cycle Time
4.0
—
5
—
ns
t
KH
Clock High Time
1.7
—
2
—
ns
t
KL
Clock Low Time
1.7
—
2
—
ns
t
KQ
Clock Access Time
—
2.6
—
3.1
ns
t
KQX
(2)
Clock High to Output Invalid
0.8
—
1.5
—
ns
t
KQLZ
(2,3)
Clock High to Output Low-Z
0.8
—
1
—
ns
t
KQHZ
(2,3)
Clock High to Output High-Z
—
2.6
—
3.0
ns
t
OEQ
Output Enable to Output Valid
—
2.6
—
3.1
ns
t
OELZ
(2,3)
Output Enable to Output Low-Z
0
—
0
—
ns
t
OEHZ
(2,3)
Output Disable to Output High-Z
—
2.6
—
3.0
ns
t
AS
Address Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
t
WS
Read/Write Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
t
CES
Chip Enable Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
t
AVS
Address Advance Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
t
DS
Data Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
t
AH
Address Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
t
WH
Write Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
t
CEH
Chip Enable Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
t
AVH
Address Advance Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
t
DH
Data Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
t
PDS
ZZ High to Power Down
—
2
—
2
cyc
t
PUS
ZZ Low to Power Down
—
2
—
2
cyc
Note:
1. Configuration signal MODE is static and must not change during normal operation.
2. Guaranteed but not 100% tested. This parameter is periodically sampled.
3. Tested with load in Figure 2.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD102418A-200TQ | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD102418A-200TQI | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD102418A-250B3 | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD102418A-250B3I | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD102418A-250TQ | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LPD102418A-200B3I-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LPD102418A-200TQ | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD102418A-200TQI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb 1Mbx18 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LPD102418A-200TQI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb 1Mbx18 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LPD102418A-250B3 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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