參數(shù)資料
型號： IS61LPD51218A-250TQ
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數(shù)： 9/32頁
文件大小： 216K
代理商： IS61LPD51218A-250TQ
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
05/09/05
9
IS61VPD25636A, IS61VPD51218A, IS61LPD25636A, IS61LPD51218A
ISSI
PIN CONFIGURATION
(3 Chip-Enable Option)
PIN DESCRIPTIONS
A0, A1
Synchronous Address Inputs. These
pins must tied to the two LSBs of the
address bus.
A
Synchronous Address Inputs
ADSC
Synchronous Controller Address
Status
ADSP
Synchronous Processor Address
Status
ADV
Synchronous Burst Address Advance
BWa
-
BWb
Synchronous Byte Write Enable
BWE
Synchronous Byte Write Enable
CE
, CE2,
CE2
Synchronous Chip Enable
CLK
Synchronous Clock
DQa-DQb
Synchronous Data Input/Output
DQPa-DQPb
Parity Data I/O; DQPa is parity for
DQa1-8; DQPb is parity for DQb1-8
GW
Synchronous Global Write Enable
MODE
Burst Sequence Mode Selection
OE
Output Enable
V
DD
3.3V/2.5V Power Supply
V
DDQ
Isolated Output Buffer Supply:
3.3V/2.5V
Vss
Ground
ZZ
Snooze Enable
100-PIN TQFP (512K X 18)
A
NC
NC
VDDQ
VSS
NC
DQPa
DQa
DQa
VSS
VDDQ
DQa
DQa
VSS
NC
VDD
ZZ
DQa
DQa
VDDQ
VSS
DQa
DQa
NC
NC
VSS
VDDQ
NC
NC
NC
A
A
C
C
N
N
B
B
C
V
V
C
G
B
O
A
A
A
A
A
NC
NC
NC
VDDQ
VSS
NC
NC
DQb
DQb
VSS
VDDQ
DQb
DQb
NC
VDD
NC
VSS
DQb
DQb
VDDQ
VSS
DQb
DQb
DQPb
NC
VSS
VDDQ
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
M
A
A
A
A
A
A
N
N
V
V
N
A
A
A
A
A
A
A
A
46 47 48 49 50
(2 Chip-Enable Option)
A
NC
NC
V
DDQ
VSS
NC
DQPa
DQa
DQa
VSS
V
DDQ
DQa
DQa
VSS
NC
V
DD
ZZ
DQa
DQa
V
DDQ
VSS
DQa
DQa
NC
NC
VSS
V
DDQ
NC
NC
NC
A
A
C
C
N
N
B
B
A
V
D
V
C
G
B
O
A
A
A
A
A
NC
NC
NC
V
DDQ
VSS
NC
NC
DQb
DQb
VSS
V
DDQ
DQb
DQb
NC
V
DD
NC
VSS
DQb
DQb
V
DDQ
VSS
DQb
DQb
DQPb
NC
VSS
V
DDQ
NC
NC
NC
1
2
3
4
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6
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62
61
60
59
58
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56
55
54
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52
51
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31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
M
A
A
A
A
A
A
N
N
V
V
D
N
N
A
A
A
A
A
A
A
46 47 48 49 50
相關PDF資料
PDF描述
IS61LPD51218A-250TQI 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS12832A 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS12832A-200B2 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS12836A-200TQLI 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS12836A-250B2 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IS61LPD51218T/D 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 32, 256K x 36, 512K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINE, DOUBLE-CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-200B3 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-200B3I 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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