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參數(shù)資料
| 型號： | IS61LV12816L-10BLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| 中文描述： | 128K X 16 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, MINI, LEAD FREE, BGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 12/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | IS61LV12816L-10BLI |
IS61LV12816L
12
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. F
10/27/05
ISSI
DATA RETENTION WAVEFORM
(
CE
Controlled)
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
V
DR
I
DR
Parameter
V
DD
for Data Retention
Test Condition
See Data Retention Waveform
V
DD
= 2.0V,
CE
≥
V
DD
– 0.2V
Options
Min.
2.0
Typ.
(1)
—
Max.
3.6
Unit
V
Data Retention Current
Com.
Ind.
—
—
0.7
—
3
4
mA
t
SDR
t
RDR
Data Retention Setup Time
See Data Retention Waveform
0
—
—
ns
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
—
—
ns
Note 1
:
Typical values are measured at V
DD
= 3.3V, T
A
= 25
O
C. Not 100% tested.
V
DD
CE
≥
V
DD
- 0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CE
GND
Data Retention Mode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LV12816L-10LQLI | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV12816L | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV12816L-10BI | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV12816L-10LQ | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV12816L-10LQI | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IS61LV12816L-10LQI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mb 128Kx16 10ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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