- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄377563 > IS61LV12816L-10LQI (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS61LV12816L-10LQI |
| 廠(chǎng)商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| 中文描述： | 128K X 16 STANDARD SRAM, 10 ns, PQFP44 |
| 封裝： | MS-026, LQFP-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | IS61LV12816L-10LQI |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)當(dāng)前第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)
IS61LV12816L, IS61LV12816LL
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
05/28/03
ISSI
AC TEST CONDITIONS
Parameter
Input Pulse Level
Input Rise and Fall Times
Input and Output Timing
and Reference Level
Output Load
Unit
0V to 3.0V
3 ns
1.5V
See Figures 1 and 2
AC TEST LOADS
Figure 1.
319
5 pF
Including
jig and
scope
353
OUTPUT
3.3V
Figure 2.
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
IS61LV12816L
-8 ns
Min.
Max
IS61LV12816LL
-12 ns
Min.
-10 ns
Min.
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2)
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
(2)
t
LZB
(2)
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 3 ns or less, timing reference levels of 1.5V, input pulse levels of 0V to
3.0V and output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
Parameter
Max.
Max.
Unit
Read Cycle Time
8
—
10
—
12
—
ns
Address Access Time
—
8
—
10
—
12
ns
Output Hold Time
3
—
3
—
3
—
ns
CE
Access Time
—
8
—
10
—
12
ns
OE
Access Time
—
3.5
—
4
—
5
ns
OE
to High-Z Output
—
3.5
—
4
—
5
ns
OE
to Low-Z Output
0
—
0
—
0
—
ns
CE
to High-Z Output
0
3.5
0
4
0
5
ns
CE
to Low-Z Output
3.5
—
3
—
3
—
ns
LB
,
UB
Access Time
—
3.5
—
4
—
5
ns
LB
,
UB
to High-Z Output
0
3.5
0
4
0
5
ns
LB
,
UB
to Low-Z Output
0
—
0
—
0
—
ns
Z
O
= 50
1.5V
50
OUTPUT
30 pF
Including
jig and
scope
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LV12816L-8B | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV12816L-8LQ | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV12816L-8LQI | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV12816LL | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV12816LL-12BI | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LV12816L-10LQI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 128Kx16 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV12816L-10LQLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 128Kx16 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV12816L-10LQLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 128Kx16 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV12816L-10T | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 128Kx16 10ns 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV12816L-10TI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 128Kx16 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。