參數(shù)資料
型號: IS61LV12816L-8T
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
中文描述: 128K X 16 STANDARD SRAM, 8 ns, PDSO44
封裝: PLASTIC, TSOP2-44
文件頁數(shù): 9/16頁
文件大?。?/td> 112K
代理商: IS61LV12816L-8T
IS61LV12816L
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. F
10/27/05
9
ISSI
WRITE CYCLE NO. 1
(1,2)
(
CE
Controlled,
OE
= HIGH or LOW)
DATA UNDEFINED
t
WC
VALID ADDRESS
t
SCE
t
PWE1
t
PWE2
t
AW
t
HA
HIGH-Z
t
PBW
t
HD
t
SA
t
HZWE
ADDRESS
CE
UB
,
LB
WE
D
OUT
D
IN
DATA
IN
VALID
t
LZWE
t
SD
UB_CEWR1.eps
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LV12816L-8TI 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV12816L-8TL 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV12816L-10BLI 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV12816L-10LQLI 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV12816L 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
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參數(shù)描述
IS61LV12816L-8TI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV12816L-8TL 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mb 128Kx16 10ns 3.3V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV12816L-8TL-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mb 128Kx16 10ns 3.3V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV12816L-8T-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mb 128Kx16 8ns 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV12816LL-12TI 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: