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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS61LV12824-10BL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| 中文描述： | 128K X 24 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA119 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | IS61LV12824-10BL |
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IS61LV12824
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. D
06/22/05
7
READ CYCLE NO. 2
(1,3)
AC WAVEFORMS
READ CYCLE NO. 1
(1,2)
(Address Controlled) (
CE1
=
CE2
=
OE
= V
IL
; CE2 = V
IH
)
Notes:
1.
WE
is HIGH for a Read Cycle.
2. The device is continuously selected.
OE
,
CE1
,
CE2
= V
IL
. CE2 = V
IH
.
3. Address is valid prior to or coincident with
CE1
,
CE2
LOW and CE2 HIGH transition.
DATA VALID
READ1.eps
PREVIOUS DATA VALID
t
AA
t
OHA
t
OHA
t
RC
D
OUT
ADDRESS
t
RC
t
OHA
t
AA
t
DOE
t
LZOE
t
ACS1
t
ACS2
t
LZCS1
t
LZCS2
t
HZOE
HIGH-Z
DATA VALID
ADDRESS
OE
CS1
CS2
D
OUT
t
HZCS1
t
HZCS2
CS2_RD2.eps
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LV12824-10TQ | 128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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