參數(shù)資料
型號： IS61NF25632
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： SRAM
中文描述： 靜態(tài)存儲器
文件頁數(shù)： 5/20頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： IS61NF25632
Integrated Silicon Solution, Inc.
—
1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00D
04/26/01
5
IS61NF25632
IS61NLF25632
IS61NF25636
IS61NLF25636
IS61NF51218
IS61NLF51218
ISSI
PIN CONFIGURATION
119-pin PBGA (Top View) and 100-Pin TQFP
PIN DESCRIPTIONS
A0, A1
Synchronous Address Inputs. These
pins must tied to the two LSBs of the
address bus.
A2
-
A18
Synchronous Address Inputs
CLK
Synchronous Clock
ADV
Synchronous Burst Address Advance
BWa
-
BWb
Synchronous Byte Write Enable
WE
Write Enable
CKE
Clock Enable
CE
, CE2,
CE2
Synchronous Chip Enable
OE
Output Enable
DQ1-DQ16
Synchronous Data Input/Output
MODE
Burst Sequence Mode Selection
V
CC
+3.3V Power Supply
GND
Ground
V
CCQ
Isolated Output Buffer Supply: +3.3V/2.5V
ZZ
Snooze Enable
DQP1-DQP2
Parity Data I/O DQP1 is parity for
DQ1-8; DQP2 is parity for DQ9-16
512K x 18
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
VCCQ
NC
NC
DQ9
NC
VCCQ
NC
DQ12
VCCQ
NC
DQ14
VCCQ
DQ16
NC
NC
NC
VCCQ
A6
CE2
A7
NC
DQ10
NC
DQ11
NC
VCC
DQ13
NC
DQ15
NC
DQP2
A5
A10
NC
A4
A3
A2
GND
GND
GND
BWb
GND
NC
GND
NC
GND
GND
GND
MODE
A11
NC
NC
ADV
VCC
NC
CE
OE
A17
WE
VCC
CLK
NC
CKE
A1
A0
VCC
NC
NC
A8
A9
A12
GND
GND
GND
NC
GND
NC
GND
BWa
GND
GND
GND
NC
A14
NC
A16
CE2
A15
DQP1
NC
DQ7
NC
DQ5
VCC
NC
DQ3
NC
DQ2
NC
A13
A18
NC
VCCQ
NC
NC
NC
DQ8
VCCQ
DQ6
NC
VCCQ
DQ4
NC
VCCQ
NC
DQ1
NC
ZZ
VCCQ
1
2
3
4
5
6
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
NC
NC
NC
VCCQ
GND
NC
NC
DQ9
DQ10
GND
VCCQ
DQ11
DQ12
GND
VCC
VCC
GND
DQ13
DQ14
VCCQ
GND
DQ15
DQ16
DQP2
NC
GND
VCCQ
NC
NC
NC
A10
NC
NC
VCCQ
GND
NC
DQP1
DQ8
DQ7
GND
VCCQ
DQ6
DQ5
GND
GND
VCC
ZZ
DQ4
DQ3
VCCQ
GND
DQ2
DQ1
NC
NC
GND
VCCQ
NC
NC
NC
M
A
A
A
A
A
A
N
N
G
V
N
N
A
A
A
A
A
A
A
A
A
C
C
N
N
B
B
C
V
G
C
W
C
O
A
N
A
A
A
相關PDF資料
PDF描述
IS61NF25636 SRAM
IS61NLF25632 SRAM
IS61NLF25636 SRAM
IS61NLF51218 SRAM
IS61NP12832-133TQ PIPELINE NO WAIT STATE BUS SRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IS61NLF102418-6.5B3 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v/2.5v - I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NLF102418-6.5B3I 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v/2.5v - I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NLF102418-6.5B3I-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v/2.5v - I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NLF102418-6.5B3-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v/2.5v - I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NLF102418-6.5TQ 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb 1Mbx18 6.5ns Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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