參數(shù)資料
型號(hào): IS61NVF102436A-7.5TQI
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: SRAM
英文描述: 1M X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
封裝: TQFP-100
文件頁(yè)數(shù): 20/23頁(yè)
文件大?。?/td> 402K
代理商: IS61NVF102436A-7.5TQI
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. B
06/09/08
IS61NLF102436A/IS61NVF102436A
IS61NLF204818A/IS61NVF204818A
PIN DESCRIPTIONS
A0,A1
SynchronousAddressInputs.These
pinsmusttiedtothetwoLSBsofthe
address bus.
A
Synchronous Address Inputs
CLK
SynchronousClock
ADV
SynchronousBurstAddressAdvance
BW
a-BWd
SynchronousByteWriteEnable
WE
WriteEnable
CKE
Clock Enable
Vss
GroundforCore
NC
NotConnected
CE
, CE2, CE2 Synchronous Chip Enable
OE
Output Enable
DQa-DQd
SynchronousDataInput/Output
DQPa-DQPd
ParityDataI/O
MODE
BurstSequenceSelection
Vdd
+3.3V/2.5VPowerSupply
Vss
GroundforoutputBuffer
Vddq
IsolatedOutputBufferSupply:+3.3V/2.5V
ZZ
SnoozeEnable
2M x 18
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
NC
VDDQ
Vss
NC
DQPa
DQa
Vss
VDDQ
DQa
Vss
NC
VDD
ZZ
DQa
VDDQ
Vss
DQa
NC
Vss
VDDQ
NC
VDDQ
Vss
NC
DQb
Vss
VDDQ
DQb
Vss
VDD
NC
Vss
DQb
VDDQ
Vss
DQb
DQPb
NC
Vss
VDDQ
NC
A
CE
CE2
NC
BW
b
BW
a
CE
2
V
DD
Vss
CL
K
WE
CKE
OE
AD
V
A
M
ODE
A
A1
A0
NC
Vss
V
DD
NC
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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13
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15
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19
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26
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28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
DQPb
DQb
VDDQ
Vss
DQb
Vss
VDDQ
DQb
Vss
NC
VDD
ZZ
DQa
VDDQ
Vss
DQa
Vss
VDDQ
DQa
DQPa
DQPc
DQc
VDDQ
Vss
DQc
Vss
VDDQ
DQc
Vss
VDD
NC
Vss
DQd
VDDQ
Vss
DQd
Vss
VDDQ
DQd
DQPd
A
CE
CE2
BW
d
BWc
BW
b
BW
a
CE
2
V
DD
Vss
CL
K
WE
CKE
OE
AD
V
A
M
ODE
A
A1
A0
NC
Vss
V
DD
NC
A
1M x 36
PIN CONFIGURATION
100-Pin TQFP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISC-100815UH+/-20% 1 ELEMENT, 15 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812181KRE4 1 ELEMENT, 180 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812151KRE4 1 ELEMENT, 150 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812121KRE4 1 ELEMENT, 120 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812680KRE4 1 ELEMENT, 68 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61NVF25672-6.5B1 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-6.5B1I 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-6.5B1I-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-6.5B1-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-7.5B1I 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,7.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray