參數(shù)資料
型號： IS61NVF102436A-7.5TQI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： SRAM
英文描述： 1M X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數(shù)： 22/23頁
文件大?。?/td> 402K
代理商： IS61NVF102436A-7.5TQI
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. B
06/09/08
IS61NLF102436A/IS61NVF102436A
IS61NLF204818A/IS61NVF204818A
ASYNCHRONOUS TRUTH TABLE(1)
Operation
ZZ
OE
I/O STATUS
SleepMode
H
X
High-Z
Read
L
DQ
L
H
High-Z
Write
L
X
Din,High-Z
Deselected
L
X
High-Z
Notes:
1. Xmeans"Don'tCare".
2. Forwritecyclesfollowingreadcycles,theoutputbuffersmustbedisabledwithOE, otherwise data
bus contention will occur.
3. SleepModemeanspowerSleepModewherestand-bycurrentdoesnotdependoncycletime.
4. DeselectedmeanspowerSleepModewherestand-bycurrentdependsoncycletime.
WRITE TRUTH TABLE (x18)
Operation
WE
BW
a
BW
b
READ
H
X
WRITEBYTEa
L
H
WRITEBYTEb
L
H
L
WRITEALLBYTEs
L
WRITEABORT/NOP
L
H
Notes:
1. Xmeans"Don'tCare".
2. AllinputsinthistablemustbeetsetupandholdtimearoundtherisingedgeofCLK.
WRITE TRUTH TABLE (x36)
Operation
WE
BW
a
BW
b
BW
c
BW
d
READ
H
X
WRITEBYTEa
L
H
WRITEBYTEb
L
H
L
H
WRITEBYTEc
L
H
L
H
WRITEBYTEd
L
H
L
WRITEALLBYTEs
L
WRITEABORT/NOP
L
H
Notes:
1. Xmeans"Don'tCare".
2. AllinputsinthistablemustbeetsetupandholdtimearoundtherisingedgeofCLK.
INTERLEAVED BURST ADDRESS TABLE (MODE=Vdd orNC)
External Address
1st Burst Address
2nd Burst Address
3rd Burst Address
A1 A0
00
01
10
11
01
00
11
10
11
00
01
11
10
01
00
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISC-100815UH+/-20% 1 ELEMENT, 15 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812181KRE4 1 ELEMENT, 180 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812151KRE4 1 ELEMENT, 150 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812121KRE4 1 ELEMENT, 120 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
ISC1812680KRE4 1 ELEMENT, 68 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61NVF25672-6.5B1 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-6.5B1I 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-6.5B1I-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-6.5B1-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NVF25672-7.5B1I 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,7.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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