參數(shù)資料
型號： IS62C1024AL
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述： 128K的× 8低功耗CMOS靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 423K
代理商： IS62C1024AL
Integrated Circuit Solution Inc.
7
SR016-0B
IS62C1024
WRITE CYCLE NO. 2 (
CE1
, CE2 Controlled)
(1,2)
DATA UNDEFINED
LOW
t
WC
VALID ADDRESS
t
PWE1
t
AW
t
HA
HIGH-Z
t
HD
t
SA
t
HZWE
ADDRESS
CE
WE
D
OUT
D
IN
OE
DATA
IN
VALID
t
LZWE
t
SD
Notes:
1. The internal write time is defined by the overlap of
CE1
LOW, CE2 HIGH and
WE
LOW. All signals must be in valid states to
initiate a Write, but any one can go inactive to terminate the Write. The Data Input Setup and Hold timing are referenced to the
rising or falling edge of the signal that terminates the Write.
2. I/O will assume the High-Z state if
OE
= V
IH
.
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PDF描述
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