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參數(shù)資料
| 型號： | IS62VV25616L |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K × 16低電壓，1.8V的超低功耗的CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | IS62VV25616L |
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
08/07/02
IS62VV25616LL
ISSI
WRITE CYCLE NO. 2
(
WE
Controlled:
OE
is HIGH During Write Cycle)
WRITE CYCLE NO. 3
(
WE
Controlled:
OE
is LOW During Write Cycle)
DATA UNDEFINED
LOW
t
WC
VALID ADDRESS
t
PWE1
t
AW
t
HA
HIGH-Z
t
PBW
t
HD
t
SA
t
HZWE
ADDRESS
CE
UB
,
LB
WE
D
OUT
D
IN
OE
DATA
IN
VALID
t
LZWE
t
SD
UB_CSWR2.eps
DATA UNDEFINED
t
WC
VALID ADDRESS
LOW
LOW
t
PWE2
t
AW
t
HA
HIGH-Z
t
PBW
t
HD
t
SA
t
HZWE
ADDRESS
CE
UB
,
LB
WE
D
OUT
D
IN
OE
DATA
IN
VALID
t
LZWE
t
SD
UB_CSWR3.eps
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62VV51216LL | 512K x 16 Low Voltage, 1.8V Ultra Low Power CMOS SRAM(1.8V, 512K x 16 低壓，極低功耗CMOS靜態(tài)RAM) |
| IS62WV10248BLL | 1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV10248BLL-55BI | 1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV10248BLL-55BLI | 1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV10248BLL-70BI | 1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IS62VV25616LL-70MI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| IS62VV25616LL-70T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62VV25616LL-70TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62VV25616LL-85M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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