參數(shù)資料
型號(hào)： IS62WV10248BLL
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述： 100萬(wàn)× 8低電壓，超低功耗的CMOS靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： IS62WV10248BLL
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
03/17/06
5
IS62WV10248BLL
ISSI
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
IS62WV10248BLL
Symbol
Parameter
Test Conditions
Max.
55
30
35
5
5
Max.
70
25
30
5
5
Unit
I
CC
V
DD
Dynamic Operating
Supply Current
Operating Supply
Current
V
DD
= Max.,
I
OUT
= 0 mA, f = f
MAX
V
DD
= Max.,
CS1
= 0.2V
WE
= V
DD
-0.2V
CS2 = V
DD
-0.2V, f = 1MHz
V
DD
= Max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
CS1
= V
IH
, CS2 = V
IL
,
f = 1 MH
Z
Com.
Ind.
Com.
Ind.
mA
I
CC
1
mA
I
SB
1
TTL Standby Current
(TTL Inputs)
Com.
Ind.
0.3
0.3
0.3
0.3
mA
I
SB
2
CMOS Standby
Current (CMOS Inputs)
V
DD
= Max.,
CS1
≥
V
DD
– 0.2V,
CS2
≤
0.2V,
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or
V
IN
≤
0.2V
, f = 0
Com.
Ind.
typ.
(1)
20
25
3
20
25
3
μA
Note:
1. Typical Values are measured at V
DD
= 3.0V, T
A
= 25
o
C and not 100% tested.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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