參數(shù)資料
型號(hào)： IS62WV12816ALL-70BI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述： 128K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, MO-207, MINI, BGA-48
文件頁(yè)數(shù)： 7/17頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商： IS62WV12816ALL-70BI
IS62WV12816ALL, IS62WV12816BLL
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
06/08/05
7
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
45 ns
55 ns
70 ns
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS1/
t
ACS2
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCS1/
t
HZCS2
(2)
t
LZCS1/
t
LZCS2
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
45
—
55
—
70
—
ns
Address Access Time
—
45
—
55
—
70
ns
Output Hold Time
10
—
10
—
10
—
ns
CS1/
CS2 Access Time
—
45
—
55
—
70
ns
OE
Access Time
—
20
—
25
—
35
ns
OE
to High-Z Output
—
15
—
20
—
25
ns
OE
to Low-Z Output
5
—
5
—
5
—
ns
CS1/
CS2 to High-Z Output
0
15
0
20
0
25
ns
CS1/
CS2 to Low-Z Output
10
—
10
—
10
—
ns
LB
,
UB
Access Time
—
45
—
55
—
70
ns
LB
,
UB
to High-Z Output
0
15
0
20
0
25
ns
LB
,
UB
to Low-Z Output
0
—
0
—
0
—
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 0.9V, input pulse levels of 0.4 to 1.4V and
output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
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PDF描述
IS62WV12816ALL-70T 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816ALL-70TI 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816BLL-45B 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816BLL-45B2 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV1288BLL-45QI 128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
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參數(shù)描述
IS62WV12816ALL-70BI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,70ns,1.65v~2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS62WV12816ALL-70BLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,70ns,1.65v~2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), Leadfree RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS62WV12816ALL-70BLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,70ns,1.65v~2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), Leadfree RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS62WV12816ALL-70T 制造商:ISSI 制造商全稱(chēng):Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816ALL-70TI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,70ns,1.65v~2.2v,44 Pin TSOP II RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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