參數(shù)資料
型號(hào)： IS62WV12816BLL-55T
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述： 128K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44
封裝： 0.400 INCH, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 7/17頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： IS62WV12816BLL-55T
IS62WV12816ALL, IS62WV12816BLL
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
06/08/05
7
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
45 ns
55 ns
70 ns
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS1/
t
ACS2
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCS1/
t
HZCS2
(2)
t
LZCS1/
t
LZCS2
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
45
—
55
—
70
—
ns
Address Access Time
—
45
—
55
—
70
ns
Output Hold Time
10
—
10
—
10
—
ns
CS1/
CS2 Access Time
—
45
—
55
—
70
ns
OE
Access Time
—
20
—
25
—
35
ns
OE
to High-Z Output
—
15
—
20
—
25
ns
OE
to Low-Z Output
5
—
5
—
5
—
ns
CS1/
CS2 to High-Z Output
0
15
0
20
0
25
ns
CS1/
CS2 to Low-Z Output
10
—
10
—
10
—
ns
LB
,
UB
Access Time
—
45
—
55
—
70
ns
LB
,
UB
to High-Z Output
0
15
0
20
0
25
ns
LB
,
UB
to Low-Z Output
0
—
0
—
0
—
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 0.9V, input pulse levels of 0.4 to 1.4V and
output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS62WV12816BLL-55TI 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816BLL-55TLI 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816ALL-70B2I Circular Connector; No. of Contacts:6; Series:MS27497; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:10; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle RoHS Compliant: No
IS62WV12816ALL-70BI 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816ALL-70T 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS62WV12816BLL-55TI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 128Kx16 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS62WV12816BLL-55TI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 128Kx16 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS62WV12816BLL-55TLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 128Kx16 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS62WV12816BLL-55TLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 128Kx16 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS62WV12816BLL-55T-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 128Kx16 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*