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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS62WV1288BLL-45TI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO32 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 111K |
| 代理商： | IS62WV1288BLL-45TI |
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4
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
06/20/05
IS62WV1288ALL, IS62WV1288BLL
ISSI
AC TEST LOADS
Figure 1
Figure 2
CAPACITANCE
(1)
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
8
pF
C
OUT
Input/Output Capacitance
V
OUT
= 0V
10
pF
Note:
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
AC TEST CONDITIONS
Parameter
62WV1288ALL
62WV1288BLL
(Unit)
(Unit)
Input Pulse Level
Input Rise and Fall Times
Input and Output Timing
and Reference Level
Output Load
0.4V to V
DD
-0.2V
5 ns
V
REF
0.4V to V
DD
-0.3V
5ns
V
REF
See Figures 1 and 2
See Figures 1 and 2
1.65V - 2.2V
2.5V - 3.6V
R1(
)
R2(
)
V
REF
3070
3070
3150
3150
0.9V
1.5V
V
TM
1.8V
2.8V
R1
30 pF
Including
jig and
scope
R2
OUTPUT
VTM
R1
5 pF
Including
jig and
scope
R2
OUTPUT
VTM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62WV1288BLL-55BI | 128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IS62WV1288BLL-55HI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb 128Kx8 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV1288BLL-55HLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb 128Kx8 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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