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參數(shù)資料
| 型號： | IS64C1024AL-15TA3 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32 |
| 文件頁數(shù)： | 4/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 110K |
| 代理商： | IS64C1024AL-15TA3 |
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
01/24/05
IS61C1024AL, IS64C1024AL
ISSI
IS61C1024AL/IS64C1024AL POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-12 ns
Min.
-15 ns
Min.
Symbol Parameter
Test Conditions
Max.
Max.
Unit
I
CC
1
V
DD
Operating
Supply Current
V
DD
= V
DD
MAX
.,
CE1
= V
IL
I
OUT
= 0 mA, f = 0
Com.
Ind.
Auto.
—
—
35
40
mA
—
45
I
CC
2
V
DD
Dynamic Operating
Supply Current
V
DD
= V
DD
MAX
.,
CE1
= V
IL
I
OUT
= 0 mA, f = f
MAX
Com.
Ind.
Auto.
typ.
(2)
—
—
45
50
mA
—
55
—
32
I
SB
1
TTL Standby Current
(TTL Inputs)
V
DD
= V
DD
MAX
.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
CE1
≥
V
IH
, f = 0 or
CE2
≤
V
IL
, f = 0
Com.
Ind.
Auto.
—
—
1
mA
1.5
—
2
I
SB
2
CMOS Standby
Current (CMOS Inputs)
V
DD
= V
DD
MAX
.,
CE1
≥
V
DD
– 0.2V,
CE2
≤
0.2V
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or
V
IN
≤
0.2V, f = 0
Com.
Ind.
Auto.
typ.
(2)
—
—
400
450
μA
—
500
—
200
Note:
1. At f = f
MAX
, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.
2. Typical Values are measured at V
DD
= 5V, T
A
= 25
o
C and not 100% tested.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IS61C1024-12H | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61C1024-12HI | RES POWER .020 OHM 2W 5% SMT |
| IS61C1024-12J | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61C1024-12JI | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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