參數(shù)資料
型號(hào)： IS64WV12816BLL-15BA3
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
中文描述： 128K X 16 STANDARD SRAM, 15 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, MINI, BGA-48
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
文件大小： 126K
代理商： IS64WV12816BLL-15BA3
12
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
02/03/06
ISSI
IS61WV12816BLL
IS64WV12816BLL
DATA RETENTION WAVEFORM
(
CE
Controlled)
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
V
DR
Parameter
Test Condition
Options
Min.
Typ.
(1)
Max.
Unit
V
DD
for Data Retention
See Data Retention Waveform
V
DD
= 2.0V,
CE
≥
V
DD
– 0.2V
1.8
—
3.6
V
I
DR
Data Retention Current
Ind.
Auto
—
—
0.4
0.4
0.9
6
mA
mA
t
SDR
t
RDR
Data Retention Setup Time
See Data Retention Waveform
0
—
—
ns
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
—
—
ns
Note 1
:
Typical values are measured at V
DD
= 3.3V, T
A
= 25
O
C. Not 100% tested.
V
DD
CE
≥
V
DD
- 0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CE
GND
Data Retention Mode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS64WV12816BLL-15TA3 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS64WV12816BLL-15TLA3 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS64WV20488BLL 2M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS64WV20488BLL-10MA3 2M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS64WV20488BLL-10TA3 2M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS64WV12816BLL-15TA3 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS64WV12816BLL-15TLA3 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-Bit 128K x 16 15ns 44-Pin TSOP-II
IS64WV12816BLL-15TLA3-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 128Kx16 15ns 2.5V-3.6V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS64WV12816DBLL 制造商:ISSI 制造商全稱(chēng):Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS64WV12816DBLL/DBLS 制造商:ISSI 制造商全稱(chēng):Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
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