參數(shù)資料
型號(hào)： IS64WV3216BLL
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
中文描述： 32K的× 16 HIGH-SPEED的CMOS靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 7/16頁(yè)
文件大小： 104K
代理商： IS64WV3216BLL
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
09/26/05
7
ISSI
IS64WV3216BLL
IS61WV3216BLL
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-12 ns
-15 ns
Min. Max.
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
Parameter
Min. Max.
Unit
Read Cycle Time
12
—
15
—
ns
Address Access Time
—
12
—
15
ns
Output Hold Time
3
—
3
—
ns
CE
Access Time
—
12
—
15
ns
OE
Access Time
—
6
—
7
ns
OE
to High-Z Output
—
6
0
6
ns
OE
to Low-Z Output
0
—
0
—
ns
CE
to High-Z Output
0
6
0
6
ns
CE
to Low-Z Output
3
—
3
—
ns
LB
,
UB
Access Time
—
6
—
7
ns
LB
,
UB
to High-Z Output
0
6
0
6
ns
LB
,
UB
to Low-Z Output
0
—
0
—
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 1.5 ns or less, timing reference levels of 1.25V, input pulse levels of 0V to
V
DD
V and output loading specified in Figure 1a.
2. Tested with the load in Figure 1b. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
3. Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS64WV3216BLL-15BA3 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS64WV3216BLL-15BLA3 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS64WV3216BLL-15TA3 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS64WV3216BLL-15TLA3 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS64WV6416BLL 64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IS64WV3216BLL-15CTLA3 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kb (32Kx16) Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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IS64WV3216BLL-15TA3 制造商:ISSI 制造商全稱(chēng):Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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