參數(shù)資料
型號(hào)： IS64WV6416BLL-15BA3
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
中文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 15 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, MINI, BGA-48
文件頁(yè)數(shù)： 7/16頁(yè)
文件大?。?/td> 104K
代理商： IS64WV6416BLL-15BA3
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
11/08/05
7
ISSI
IS64WV6416BLL
IS61WV6416BLL
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-12 ns
-15 ns
Min. Max.
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
Parameter
Min. Max.
Unit
Read Cycle Time
12
—
15
—
ns
Address Access Time
—
12
—
15
ns
Output Hold Time
3
—
3
—
ns
CE
Access Time
—
12
—
15
ns
OE
Access Time
—
6
—
7
ns
OE
to High-Z Output
—
6
0
6
ns
OE
to Low-Z Output
0
—
0
—
ns
CE
to High-Z Output
0
6
0
6
ns
CE
to Low-Z Output
3
—
3
—
ns
LB
,
UB
Access Time
—
6
—
7
ns
LB
,
UB
to High-Z Output
0
6
0
6
ns
LB
,
UB
to Low-Z Output
0
—
0
—
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 1.5 ns or less, timing reference levels of 1.25V, input pulse levels of 0V to
V
DD
V and output loading specified in Figure 1a.
2. Tested with the load in Figure 1b. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
3. Not 100% tested.
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PDF描述
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