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參數(shù)資料
| 型號： | IS65C1024AL-45TA3 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 20 X 8 MM, TSOP1-32 |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | IS65C1024AL-45TA3 |
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
01/24/05
ISSI
IS62C1024AL
IS65C1024AL
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
V
DR
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
for Data Retention
See Data Retention Waveform
V
DD
= 2.0V,
CE1
≥
V
DD
– 0.2V
or CE2
≤
0.2V
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or V
IN
≤
V
SS
+ 0.2V
See Data Retention Waveform
2.0
5.5
V
I
DR
Data Retention Current
Com.
Ind.
Auto.
—
—
—
—
—
—
5
10
15
μA
t
SDR
t
RDR
Data Retention Setup Time
0
—
ns
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
—
ns
Note:
1. Typical Values are measured at V
DD
= 5V, T
A
= 25
o
C and not 100% tested.
DATA RETENTION WAVEFORM (
CE1
Controlled)
DATA RETENTION WAVEFORM (CE2 Controlled)
VDD
CE1
≥
VDD
- 0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CE1
GND
4.5V
2.2V
Data Retention Mode
VDD
CE2
≤
0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
0.4V
CE2
GND
4.5V
2.2V
Data Retention Mode
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PDF描述 |
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