參數(shù)資料
型號： IS65WV25616BLL-70TA2
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
中文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO44
封裝： PLASTIC, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大小： 109K
代理商： IS65WV25616BLL-70TA2
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00B
06/20/06
IS65WV25616ALL, IS65WV25616BLL
ISSI
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
55 ns
70 ns
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS1
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCS1
t
LZCS1
t
BA
t
HZB
t
LZB
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 0.9V, input pulse levels of 0.4 to 1.4V
and output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
55
—
70
—
ns
Address Access Time
—
55
—
70
ns
Output Hold Time
10
—
10
—
ns
CS1
Access Time
—
55
—
70
ns
OE
Access Time
—
25
—
35
ns
OE
to High-Z Output
—
20
—
25
ns
OE
to Low-Z Output
5
—
5
—
ns
CS1
to High-Z Output
0
20
0
25
ns
CS1
to Low-Z Output
10
—
10
—
ns
LB
,
UB
Access Time
—
55
—
70
ns
LB
,
UB
to High-Z Output
0
20
0
25
ns
LB
,
UB
to Low-Z Output
0
—
0
—
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS65WV25616BLL-70TA3 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS6MC256K 256KB Secondary cache Module(256KB 次級高速緩沖存儲器模塊)
IS75V16F128GS32 3.0 Volt Multi-Chip Package (MCP) 128 Mbit Simultaneous Operation Flash Memory and 32 Mbit Pseudo Static RAM
IS75V16F128GS32-7065BI 3.0 Volt Multi-Chip Package (MCP) 128 Mbit Simultaneous Operation Flash Memory and 32 Mbit Pseudo Static RAM
IS75V16F64GS16-7080DI 64 Mbit FLASH MEMORY AND 16 Mbit PSEUDO SRAM STACKED MULTI-CHIP PACKAGE (MCP)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS65WV25616BLL-70TA3 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS65WV25616BLL-70TLA3 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M (256Kx16) 70ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS65WV25616BLL-70TLA3-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M (256Kx16) 70ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS65WV25616DBLL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS65WV25616DBLL-45CTLA1 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
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