FN6552.2 October 23, 2009 Die Characteristics SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP): GND TRANSISTOR COUNT: PROCESS: Submicron CMOS FIGURE 14. DIGITA" />
參數(shù)資料
型號(hào)： ISL54505IHZ-T
廠商： Intersil
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SWITCH SPDT SOT23-6
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,000
功能： 開(kāi)關(guān)
電路： 1 x SPST- NC
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 2.5 歐姆
電壓電源： 單電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
電流 - 電源： 28nA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： SOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝： SOT-23-6
包裝： 帶卷 (TR)
10
FN6552.2
October 23, 2009
Die Characteristics
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
GND
TRANSISTOR COUNT:
PROCESS:
Submicron CMOS
FIGURE 14. DIGITAL SWITCHING POINT vs SUPPLY
VOLTAGE
FIGURE 15. FREQUENCY RESPONSE
FIGURE 16. OFF ISOLATION
FIGURE 17. CHARGE INJECTION vs SWITCH VOLTAGE
Typical Performance Curves T
A = +25°C, Unless Otherwise Specified. (Continued)
V+ (V)
V
IN
H
AN
D
V
IN
L
(V
)
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
VINH
VINL
FREQUENCY (Hz)
NO
R
M
ALIZED
G
A
IN
(
d
B)
-13
-12
-11
-10
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
100k
1M
10M
100M
1G
VCOM = 1VP-P
V+ = 1.8V TO 5.5V
FREQUENCY (Hz)
(d
B
)
-120
-110
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
1k
10k
100k
1M
10M
100M
1G
V+ = 1.8V TO 5.5V
Q
(
p
C)
VCOM (V)
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
25
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V+ = 5V
V+ = 3.3V
V+ = 1.8V
ISL54504, ISL54505
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PDF描述
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