Specifications ispLSI 1016 4 Switching Test Conditions Input Pulse Levels GND to 3.0V Input Rise and Fall Time ≤ 3ns 10% to 90% Input Timing Re" />
參數(shù)資料
型號(hào)： ISPLSI 1016-90LT44
廠商： Lattice Semiconductor Corporation
文件頁(yè)數(shù)： 13/17頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC PLD ISP 32I/O 12NS 44TQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 160
系列： ispLSI® 1000
可編程類(lèi)型： 系統(tǒng)內(nèi)可編程
最大延遲時(shí)間 tpd(1)： 12.0ns
電壓電源 - 內(nèi)部： 4.75 V ~ 5.25 V
邏輯元件/邏輯塊數(shù)目： 16
門(mén)數(shù)： 2000
輸入/輸出數(shù)： 32
工作溫度： 0°C ~ 70°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 44-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 44-TQFP（10x10）
包裝： 托盤(pán)
其它名稱(chēng)： ISPLSI1016-90LT44
Specifications ispLSI 1016
4
Switching Test Conditions
Input Pulse Levels
GND to 3.0V
Input Rise and Fall Time
≤ 3ns 10% to 90%
Input Timing Reference Levels
1.5V
Output Timing Reference Levels
1.5V
Output Load
See figure 2
3-state levels are measured 0.5V from steady-state
active level.
Table 2- 0003
Output Load Conditions (see figure 2)
Test Condition
R1
R2
CL
A
470Ω
390Ω
35pF
B
Active High
390Ω
35pF
Active Low
470Ω
390Ω
35pF
Active High to Z
390Ω
5pF
Cat V
OH - 0.5V
Active Low to Z
470Ω
390Ω
5pF
at V
OL + 0.5V
∞
Table 2- 0004A
Figure 2. Test Load
+ 5V
R1
R2
CL*
Device
Output
Test
Point
*CL includes Test Fixture and Probe Capacitance.
DC Electrical Characteristics
Over Recommended Operating Conditions
0.4
–
-10
10
-150
-200
150
170
VOL
VOH
IIL
IIH
IIL-isp
IIL-PU
IOS1
ICC2,4
I
OL =8 mA
I
OH =-4 mA
0V ≤ VIN ≤ VIL (MAX.)
3.5V ≤ VIN ≤ VCC
0V ≤ VIN ≤ VIL (MAX.)
0V ≤ VIN ≤ VIL
V
CC = 5V, VOUT = 0.5V
V
IL = 0.5V, VIH = 3.0V
Commercial
f
TOGGLE = 1 MHz
Industrial/Military
–
100
–
2.4
–
CONDITION
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
Output Low Voltage
Output High Voltage
Input or I/O Low Leakage Current
Input or I/O High Leakage Current
isp Input Low Leakage Current
I/O Active Pull-Up Current
Output Short Circuit Current
Operating Power Supply Current
UNITS
TYP.3
V
μA
mA
1. One output at a time for a maximum duration of one second. V
out = 0.5V was selected to avoid test problems by tester ground
degradation. Characterized but not 100% tested.
2. Measured using four 16-bit counters.
3. Typical values are at V
CC = 5V and TA = 25
oC.
4. Maximum I
CC varies widely with specific device configuration and operating frequency. Refer to the Power Consumption sec-
tion of this datasheet and Thermal Management section of the Lattice Semiconductor Data Book or CD-ROM to estimate maximum
I
CC.
Table 2-0007A-16 w/mil
ALL
DEVICES
DISCONTINUED
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISL61853DCRZ IC USB PWR CTRLR DUAL 10DFN
M4A5-32/32-7VI IC CPLD ISP 4A 32MC 44TQFP
VE-B7Z-CX-F4 CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W
M4A5-32/32-5VC IC CPLD ISP 4A 32MC 44TQFP
VE-B7Z-CX-F3 CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ispLSI1016-90LT44 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 USE ispMACH 4000V RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類(lèi)型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
ISPLSI1016E 制造商:LATTICE 制造商全稱(chēng):Lattice Semiconductor 功能描述:In-System Programmable High Density PLD
ISPLSI1016E_02 制造商:LATTICE 制造商全稱(chēng):Lattice Semiconductor 功能描述:In-System Programmable High Density PLD
ISPLSI1016E_06 制造商:LATTICE 制造商全稱(chēng):Lattice Semiconductor 功能描述:In-System Programmable High Density PLD
ISPLSI1016E100LJ 制造商:LATTICE 制造商全稱(chēng):Lattice Semiconductor 功能描述:In-System Programmable High Density PLD
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