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參數(shù)資料
| 型號： | ISPLSI 1016EA-125LT44 |
| 廠商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件頁數(shù)： | 9/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC PLD ISP 32I/O 125MHZ 44TQFP |
| 標準包裝： | 160 |
| 系列： | ispLSI® 1000EA |
| 可編程類型： | 系統(tǒng)內可編程 |
| 最大延遲時間 tpd(1)： | 7.5ns |
| 電壓電源 - 內部： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 邏輯元件/邏輯塊數(shù)目： | 16 |
| 門數(shù)： | 2000 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 32 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 44-TQFP |
| 供應商設備封裝： | 44-TQFP（10x10） |
| 包裝： | 托盤 |
| 其它名稱： | ISPLSI1016EA-125LT44 |
5
Specifications ispLSI 1016EA
USE
ispMA
CH
4A5
FOR
NEW
5V
DESIGNS
Switching Test Conditions
Figure 3. Test Load
DC Electrical Characteristics
Over Recommended Operating Conditions
Input Pulse Levels
Table 2-0003/1016EA
Input Rise and Fall Time 10% to 90%
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
1.5V
1.5ns
1.5V
See Figure 3
3-state levels are measured 0.5V from
steady-state active level.
Output Load Conditions (see Figure 3)
TEST CONDITION
R1
R2
CL
A
470Ω
390Ω
35pF
B
∞
390Ω
35pF
470Ω
390Ω
35pF
Active High
Active Low
C
470Ω
390Ω
5pF
∞
390Ω
5pF
Active Low to Z
at V +0.5V
OL
Active High to Z
at V
-0.5V
OH
Table 2-0004/1016E
+ 5V
R1
R2
CL*
Device
Output
Test
Point
*CL includes Test Fixture and Probe Capacitance.
0213a
VOL
SYMBOL
1. One output at a time for a maximum duration of one second. VOUT = 0.5V was selected to avoid test
problems by tester ground degradation. Characterized but not 100% tested.
2. Measured using four 16-bit counters.
3. Typical values are at VCC = 5V and TA = 25°C.
4. Unused inputs held at 0.0V.
5. Maximum ICC varies widely with specific device configuration and operating frequency. Refer to the
Power Consumption section of this data sheet and the Thermal Management section of the Lattice Semiconductor
Data Book CD-ROM to estimate maximum ICC.
Table 2-0007/1016EA
VOH
IIH
IIL
PARAMETER
IIL-PU
IOS1
ICC2,4,5
Output Low Voltage
Output High Voltage
Input or I/O Low Leakage Current
Operating Power Supply Current
IOL = 8 mA
0V ≤ VIN ≤ VIL (Max.)
VIL = 0.0V, VIH = 3.0V
CONDITION
MIN.
TYP.
3
MAX. UNITS
—
2.4
—
0.4
—
10
-10
10
V
2.4
—
V
μA
Input or I/O High Leakage Current
VCCIO ≤ VIN ≤ 5.25V
(VCCIO - 0.2)V ≤ VIN ≤ VCCIO
μA
I/O Active Pull-Up Current
0V ≤ VIN ≤ VIL
—
-200
μA
Output Short Circuit Current
VCCIO = 5.0V or 3.3V, VOUT = 0.5V
—
-240
mA
—91
mA
—
fTOGGLE = 1 MHz
IOH = -2 mA, VCCIO = 3.0V
IOH = -4 mA, VCCIO = 4.75V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ISPLSI1016EA-125LT44 | 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數(shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| ISPLSI1016EA-200LJ44 | 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數(shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| ISPLSI1016EA-200LT44 | 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數(shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| ISPLSI1024-50LJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Electrically-Erasable Complex PLD |
| ISPLSI1024-60LH/883 | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:In-System Programmable High Density PLD |
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