參數(shù)資料
型號： IXDH20N120D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with optional Diode
中文描述： 38 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 74K
代理商： IXDH20N120D1
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
IXDH 20N120
IXDH 20N120 D1
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
0
10
20
30
40
0
1
2
3
4
5
6
7
0
20
40
60
80
100
120
ns
140
0
10
20
30
40
0
1
2
3
4
5
0
100
200
300
400
500
ns
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
50
100
150
200
250
300
350
0
1
2
3
4
0
400
800
1200
1600
0
50
100
150
200
250
300
350
0
4
8
12
0
80
160
240
single pulse
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 82
W
T
J
= 125
°
C
IXDH20N120D1
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 20A
T
J
= 125
°
C
0
200
400
600
800
1000 1200
V
CE
0
5
10
15
20
25
30
35
40
R
G
= 82
W
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 82
W
T
J
= 125
°
C
E
on
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 20A
T
J
= 125
°
C
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
I
C
A
E
off
E
on
t
t
R
G
W
R
G
W
t
s
mJ
E
on
mJ
E
off
ns
t
ns
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
mJ
mJ
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PDF描述
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