參數(shù)資料
型號： IXDH35N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT with optional Diode
中文描述： 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 101K
代理商： IXDH35N60B
2000 IXYS All rights reserved
2 - 4
IXDP 35N60 B
IXDH 35N60 B
IXDH 35N60 BD1
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
C
ies
C
oes
C
res
1600
150
90
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
I
C
= 35 A, V
GE
= 15 V, V
CE
= 480 V
120
nC
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
30
45
320
70
1.6
0.8
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
R
thJC
R
thCH
R
thCH
0.5 K/W
TO 247 Package with heatsink compound
TO 220 Package with heatsink compound
0.25
0.5
K/W
K/W
Inductive load, T
J
= 125°C
I
C
= 35 A, V
= ±15 V,
V
CE
= 300 V, R
G
= 10
Reverse Diode (FRED)
[D1 version only]
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Conditions
typ.
max.
V
F
I
F
= 35 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 35 A, V
GE
= 0 V, T
J
= 125°C
2.1
1.6
2.4
V
V
I
F
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
45
25
A
A
I
RM
t
rr
I
F
= 15 A, -di
F
/dt = 400 A/μs, V
R
= 300 V
V
GE
= 0 V, T
J
= 125°C
13
90
A
ns
t
rr
I
F
= 1 A, -di
F
/dt = 100 A/μs, V
R
= 30 V, V
GE
= 0 V
40
ns
R
thJC
1.6 K/W
TO-220 AB Outline
Dim.
Millimeter
Min.
12.70
14.73
9.91
3.54
5.85
2.54
1.15
2.79
0.64
2.54
4.32
1.14
0.35
2.29
Inches
Min.
0.500
0.580
0.390
0.139
0.230
0.100
0.045
0.110
0.025
0.100
0.170
0.045
0.014
0.090
Max.
13.97
16.00
10.66
4.08
6.85
3.18
1.65
5.84
1.01
BSC
4.82
1.39
0.56
2.79
Max.
0.550
0.630
0.420
0.161
0.270
0.125
0.065
0.230
0.040
BSC
0.190
0.055
0.022
0.110
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
TO-247 AD Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
P
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
Q
R
S
.216
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXDH35N60BD1 IGBT with optional Diode
IXDP35N60B IGBT with optional Diode
IXDI409YI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDN409CI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDN409PI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXDH35N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDI402PI 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 Amps 40V 3 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXDI402SI 功能描述:功率驅(qū)動器IC 40V 2A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXDI402SI-16 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers
IXDI402SIA 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 Amps 40V 3 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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