參數(shù)資料
型號： IXDH35N60BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT with optional Diode
中文描述： 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 101K
代理商： IXDH35N60BD1
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
IXDP 35N60 B
IXDH 35N60 B
IXDH 35N60 BD1
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
0
20
40
60
80
10
20
30
40
50
I
C
60
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
100
200
300
400
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.001
0.01
0.1
1
0
5
10
15
20
25
R
G
30
35
40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
200
400
600
800
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
15
30
45
60
single pulse
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 10
W
T
J
= 125
°
C
IXDH30N60B
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
I
C
= 35A
T
J
= 125
°
C
0
100
200
300
400
500
600
V
CE
700
0
20
40
60
80
100
120
A
R
G
= 10
W
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 10
W
T
J
= 125
°
C
E
on
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
I
C
= 35A
T
J
= 125
°
C
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
A
E
off
E
on
t
t
R
G
W
W
t
s
mJ
E
on
mJ
E
off
ns
t
ns
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
mJ
ns
ns
mJ
相關PDF資料
PDF描述
IXDP35N60B IGBT with optional Diode
IXDI409YI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDN409CI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDN409PI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDN409SI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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